檢索結果：共24筆資料 檢索策略： "Jung-Chieh Su".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
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此篇論文是使用商用氮化鎵磊晶於矽基板，磊晶結構為藍光發光二極體之晶圓製作積體化發光二極體(LED)和監控光偵測器(MPD)元件，以兩片不同廠商製作的晶圓，相同製程步驟和相似的製程參數製作，並做光電特…
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GaN-based passive matrix LED has been studied intensively for the last decade due to its potential …
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發光二極體(Light Emitting Diode, LED)的壽命及性能較傳統光源優異許多，但是散熱的問題一直是影響發光二極體發光效率與壽命的關鍵原因之一。而氮化鎵材料為了降低生產成本，必須磊晶…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
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本論文研究積體化氮化鎵光電晶體光偵測器與七段顯示器的元件製作、模組電路設計與特性量測。光電晶體可以放大光電流，氮化鎵光電晶體適合偵測環境的紫外線照度，與七段顯示器積體化可顯示紫外線危險級數或顯示…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，散熱一直是影響發光效率的問題中必須解決的問題，而氮化鎵材料必須生長在藍寶石基板上使得成本降低。為了解決藍寶石基板散熱不佳以及改善…
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紫外光能量高、波長短，很容易被各種材料吸收，傳統半導體材料能隙小、響應率低，不易製作紫外光光偵測器。因此本文研究兩種寬能隙半導體：氮化鎵與氧化鎵，分別以不同的結構設計氮化鎵光電晶體與氧化鎵光導體，進…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓，以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器，我們製作兩種不同材料的表面結構處理，分別為：(1)ITO表面粗糙化；以及(…
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本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計，主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
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近年來，許多人嘗試將奈米或微米球作為表面織構散射體以增加薄膜太陽能電池的轉換效率，然而散射體的尺寸及折射率等參數對散射效果的影響還未被充分瞭解。在本研究中，我們使用光線追跡 (Ray Tracing…